346 labākie Sukulenti Edison | 2026 ceļvedis - 3. lapa
346 labākie sukulenti audzēšanai Edison. Ideālais klimats: 13.3°C, 69.1% mitrums.
346 Sukulenti Edison
Rāda 73–108 no 346
Orhideju kaktuss
Disocactus
Pereskija
Leuenbergeria
Čūskveida kaktuss
Nyctocereus serpentinus
Ēdamā dudleja
Dudleya edulis
Orhideju kaktuss
Epiphyllum phyllanthus
Krāšņais akmeņlauztis
Sedum spectabile
Ora-pro-nobis
Pereskia aculeata
Pūkainā ripsāle
Rhipsalis pilocarpa
Sarkanā pitaija
Hylocereus costaricensis
Koraļļu kaktuss
Rhipsalis elliptica
Ziemassvētku kaktuss
Schlumbergera
Kamčatkas laimiņš
Phedimus kamtschaticus
Lielā laimiņa
Hylotelephium
Kātainais Aeonijs
Aeonium undulatum
Žurkas astes kaktuss
Disocactus flagelliformis
Zeltainais Sedums
Sedum adolphi
Tālumzāle
Hylotelephium telephium
Akmensrauzis (ģints)
Sedum
Divrindu akmensrozīte
Phedimus spurius
Trauslā krasula
Crassula expansa subsp. fragilis
Liesmojošā Katija
Kalanchoe blossfeldiana
Brazīlijas koku kaktuss
Brasiliopuntia brasiliensis
Lieldienu Kaktuss
Hatiora gaertneri
Krāšņā akmeņlauze
Hylotelephium spectabile
Rozā Krupju Kaktuss
Tacinga
Zikzaka kaktuss
Selenicereus anthonyanus
Orhideju kaktuss
Epiphyllum
Mēness kaktuss
Selenicereus validus
Zivju asakas kaktuss
Disocactus anguliger
Kalandiva
Kalanchoe calandiva
Dejojošo kaulu kaktuss
Hatiora salicornioides
Koku Aeonijs
Aeonium arboreum
Fluminenses kolonnas kaktuss
Coleocephalocereus fluminensis
Bolīvijas pfeifera
Pfeiffera boliviana
Nakts karaliene
Selenicereus
Vācu imperatore
Disocactus phyllanthoides
Ideālie Sukulenti Edison klimatam
Edison vidējā temperatūra ir 13.3°C un mitrums 69.1%, apstākļi, kas tieši ietekmē, kuri sukulenti vislabāk pielāgojas vietējai videi.
Kā audzēt Sukulenti Edison
Lai veiksmīgi audzētu sukulenti Edison, ņemiet vērā, ka vidējā temperatūra 13.3°C un mitrums 69.1% veido specifisku mikroklimatu. Mērens mitrums ir labvēlīgs vairumam šīs kategorijas sugu.
Pielāgoto Sukulenti izvēles priekšrocības
Edison klimatam pielāgotie Sukulenti uzrāda lielāku izturību, veselīgu augšanu un mazāku nepieciešamību pēc iejaukšanās.