354 labākie Sukulenti Kyle | 2026 ceļvedis - 5. lapa
354 labākie sukulenti audzēšanai Kyle. Ideālais klimats: 21.7°C, 65.4% mitrums.
354 Sukulenti Kyle
Rāda 145–180 no 354
Tuna dzeloņbumbieris
Opuntia tuna
Bakeberga mamilārija
Mammillaria backebergiana
Zelta bumbas kaktuss
Parodia leninghausii
Matukana kaktuss
Matucana madisoniorum
Agaves kaktuss
Leuchtenbergia principis
Gimnokalicijs
Gymnocalycium
Kalanhoja
Kalanchoe porphyrocalyx
Pūkainā evehērija
Echeveria pulvinata
Kanāriju eonija
Aeonium canariense
Želejkonfekšu sedums
Sedum hernandezii
Pelēkais fantoma kaktuss
Stenocereus pruinosus
Pūderotu kaktuss
Mammillaria bocasana
Astes kaktuss
Mammillaria pottsii
Sedevērija 'Letizia'
Sedeveria 'Letizia'
Šķeltlapu kalanhoja
Kalanchoe laciniata
Pitaja
Stenocereus griseus
Opuncija
Opuntia
Graptosedum 'Francesco Baldi'
Graptosedum 'Francesco Baldi'
Peruāņu cerejs
Cereus peruvianus
Blīviedu kalanhoje
Kalanchoe densiflora
Burito laimiņš
Sedum burrito
Lāpstiņaugs
Kalanchoe thyrsiflora
Samta Ziloņausis
Kalanchoe beharensis
Lieldienu liļļu kaktuss
Echinopsis oxygona
Bālie akmeņsēkļi
Petrosedum sediforme
Melnā eševērija
Echeveria affinis
Lielā Mama Kalanhoe
Kalanchoe laetivirens
Cereus / Dzīvžoga kaktuss (ģints)
Cereus
Lustra Augs
Kalanchoe manginii
Lūpukrāsas Ečeverija
Echeveria agavoides
Saldais dadžu bumbieris
Opuntia dillenii
Kaatingas zilais pilosocereus
Pilosocereus catingicola
Graptoveria Ellena
Graptoveria 'Ellen'
Pāva evehērija
Echeveria peacockii
Kalliko kaķēns
Crassula pellucida
Pitaja
Hylocereus undatus
Ideālie Sukulenti Kyle klimatam
Kyle vidējā temperatūra ir 21.7°C un mitrums 65.4%, apstākļi, kas tieši ietekmē, kuri sukulenti vislabāk pielāgojas vietējai videi.
Kā audzēt Sukulenti Kyle
Lai veiksmīgi audzētu sukulenti Kyle, ņemiet vērā, ka vidējā temperatūra 21.7°C un mitrums 65.4% veido specifisku mikroklimatu. Mērens mitrums ir labvēlīgs vairumam šīs kategorijas sugu.
Pielāgoto Sukulenti izvēles priekšrocības
Kyle klimatam pielāgotie Sukulenti uzrāda lielāku izturību, veselīgu augšanu un mazāku nepieciešamību pēc iejaukšanās.