400 labākie Sukulenti Lockhart | 2026 ceļvedis - 7. lapa
400 labākie sukulenti audzēšanai Lockhart. Ideālais klimats: 22.1°C, 64.8% mitrums.
400 Sukulenti Lockhart
Rāda 217–252 no 400
Graptoveria 'Debbie'
× Graptoveria 'Debbie'
Šķeltlapu kalanhoja
Kalanchoe laciniata
Zilā evehērija
Echeveria secunda
Opuncija
Opuntia
Graptosedum 'Francesco Baldi'
Graptosedum 'Francesco Baldi'
Vintera kleistokaktuss
Cleistocactus winteri
Blīviedu kalanhoje
Kalanchoe densiflora
Burito laimiņš
Sedum burrito
Lāpstiņaugs
Kalanchoe thyrsiflora
Lieldienu liļļu kaktuss
Echinopsis oxygona
Grīna Mūžzaļā
Dudleya greenei
Bālie akmeņsēkļi
Petrosedum sediforme
Melnā eševērija
Echeveria affinis
Lielā Mama Kalanhoe
Kalanchoe laetivirens
Lūpukrāsas Ečeverija
Echeveria agavoides
Pāva evehērija
Echeveria peacockii
Kalliko kaķēns
Crassula pellucida
Sanpedro kaktuss
Trichocereus pachanoi
Čīles rozā kaktuss
Eriosyce subgibbosa
Vara sedums
Sedum nussbaumerianum
Sūnu kalanhoje
Kalanchoe eriophylla
Pasaku Crassula
Crassula multicava
Kalifornijas saulriets
Graptosedum 'California Sunset'
Uguns kaktuss
Cleistocactus baumannii
Rebūcija
Rebutia
Baltmatainā opuncija
Opuntia leucotricha
Kokveida krasula
Crassula arborescens
Pūkainā kalanhoja
Kalanchoe tomentosa
Baltais laimiņš
Sedum album
Mēnessakmens pahifīts
Pachyphytum
Andu Vecais Vīrs
Austrocylindropuntia vestita
Meksikāņu Dārgakmens
Echeveria elegans
Ēzeļa aste
Sedum morganianum
Japāņu akmeņraža
Sedum makinoi
Zilais akmensrauzis
Petrosedum rupestre
Krassula (ģints)
Crassula
Ideālie Sukulenti Lockhart klimatam
Lockhart vidējā temperatūra ir 22.1°C un mitrums 64.8%, apstākļi, kas tieši ietekmē, kuri sukulenti vislabāk pielāgojas vietējai videi.
Kā audzēt Sukulenti Lockhart
Lai veiksmīgi audzētu sukulenti Lockhart, ņemiet vērā, ka vidējā temperatūra 22.1°C un mitrums 64.8% veido specifisku mikroklimatu. Mērens mitrums ir labvēlīgs vairumam šīs kategorijas sugu.
Pielāgoto Sukulenti izvēles priekšrocības
Lockhart klimatam pielāgotie Sukulenti uzrāda lielāku izturību, veselīgu augšanu un mazāku nepieciešamību pēc iejaukšanās.