303 labākie Sukulenti Marion | 2026 ceļvedis - 4. lapa
303 labākie sukulenti audzēšanai Marion. Ideālais klimats: 11.3°C, 66.5% mitrums.
303 Sukulenti Marion
Rāda 109–144 no 303
Čīles rozā kaktuss
Eriosyce subgibbosa
Biezlapu lūpenīte
Sedum dasyphyllum
Šķeltlapu kalanhoja
Kalanchoe laciniata
Zilā evehērija
Echeveria secunda
Graptosedum 'Francesco Baldi'
Graptosedum 'Francesco Baldi'
Vintera kleistokaktuss
Cleistocactus winteri
Peruāņu cerejs
Cereus peruvianus
Andu Vecais Vīrs
Austrocylindropuntia vestita
Parastā akmensroze
Sempervivum tectorum
Lieldienu Kaktuss
Hatiora gaertneri
Lielā čuža
Hylotelephium maximum
Cereus / Dzīvžoga kaktuss (ģints)
Cereus
Purpusa Ečeverija
Echeveria purpusorum
Saldais dadžu bumbieris
Opuntia dillenii
Kaukāza mājasvīķis
Sempervivum caucasicum
Graptoveria Ellena
Graptoveria 'Ellen'
Vara sedums
Sedum nussbaumerianum
Kalifornijas saulriets
Graptosedum 'California Sunset'
Čīles spirālkaktuss
Eulychnia castanea
Kokveida krasula
Crassula arborescens
Pūkainā kalanhoja
Kalanchoe tomentosa
Miltainā dudleja
Dudleya pulverulenta
Dudleja
Dudleya
Ēzeļa aste
Sedum morganianum
Melnā eševērija
Echeveria affinis
Oktobra Dafne
Sedum sieboldii
Lūpukrāsas Ečeverija
Echeveria agavoides
Karnevāla Ečeverija
Echeveria gibbiflora
Pflanza zoda kaktuss
Gymnocalycium pflanzii
Daudzlapu monante
Monanthes polyphylla
Eonija
Aeonium
Mendozas laimiņš
Sedum mendozae
Koku sedums
Sedum dendroideum
Cūkas Auss
Cotyledon orbiculata
Tuna dzeloņbumbieris
Opuntia tuna
Kūpera adromišs
Adromischus cooperi
Ideālie Sukulenti Marion klimatam
Marion vidējā temperatūra ir 11.3°C un mitrums 66.5%, apstākļi, kas tieši ietekmē, kuri sukulenti vislabāk pielāgojas vietējai videi.
Kā audzēt Sukulenti Marion
Lai veiksmīgi audzētu sukulenti Marion, ņemiet vērā, ka vidējā temperatūra 11.3°C un mitrums 66.5% veido specifisku mikroklimatu. Mērens mitrums ir labvēlīgs vairumam šīs kategorijas sugu.
Pielāgoto Sukulenti izvēles priekšrocības
Marion klimatam pielāgotie Sukulenti uzrāda lielāku izturību, veselīgu augšanu un mazāku nepieciešamību pēc iejaukšanās.