313 labākie Sukulenti Towson | 2026 ceļvedis - 2. lapa
313 labākie sukulenti audzēšanai Towson. Ideālais klimats: 13.8°C, 69.1% mitrums.
313 Sukulenti Towson
Rāda 37–72 no 313
Āmolkaktuss
Rhipsalis teres
Lineārā laimiņa
Sedum lineare
Zāģzobu kaktuss
Epiphyllum anguliger
Lenophyllum acutifolium
Lenophyllum acutifolium
Sirpjveida krasula
Crassula perfoliata
Trīsstūrainais selenicerejs
Selenicereus triangularis
Saru eševērija
Echeveria setosa
Zilganais ferokaktuss
Ferocactus glaucescens
Adromišs
Adromischus maculatus
Akermana epifils
Disocactus ackermannii
Pludmales ābolu kaktuss
Cereus fernambucensis
Sarkanais rhipsalis
Pseudorhipsalis ramulosa
Echeveria 'Dionysos'
Echeveria 'Dionysos'
Orhideju kaktuss
Disocactus
Pateicības kaktuss
Schlumbergera truncata
Ripsālis
Rhipsalis pachyptera
Pereskija
Leuenbergeria
Čūskveida kaktuss
Nyctocereus serpentinus
Orhideju kaktuss
Epiphyllum phyllanthus
Ora-pro-nobis
Pereskia aculeata
Pūkainā ripsāle
Rhipsalis pilocarpa
Sarkanā pitaija
Hylocereus costaricensis
Ziemassvētku kaktuss
Schlumbergera
Koraļļu kaktuss
Rhipsalis elliptica
Ēdamā dudleja
Dudleya edulis
Krāšņais akmeņlauztis
Sedum spectabile
Kātainais Aeonijs
Aeonium undulatum
Zeltainais Sedums
Sedum adolphi
Kamčatkas laimiņš
Phedimus kamtschaticus
Lielā laimiņa
Hylotelephium
Žurkas astes kaktuss
Disocactus flagelliformis
Lieldienu Kaktuss
Hatiora gaertneri
Tālumzāle
Hylotelephium telephium
Akmensrauzis (ģints)
Sedum
Divrindu akmensrozīte
Phedimus spurius
Trauslā krasula
Crassula expansa subsp. fragilis
Ideālie Sukulenti Towson klimatam
Towson vidējā temperatūra ir 13.8°C un mitrums 69.1%, apstākļi, kas tieši ietekmē, kuri sukulenti vislabāk pielāgojas vietējai videi.
Kā audzēt Sukulenti Towson
Lai veiksmīgi audzētu sukulenti Towson, ņemiet vērā, ka vidējā temperatūra 13.8°C un mitrums 69.1% veido specifisku mikroklimatu. Mērens mitrums ir labvēlīgs vairumam šīs kategorijas sugu.
Pielāgoto Sukulenti izvēles priekšrocības
Towson klimatam pielāgotie Sukulenti uzrāda lielāku izturību, veselīgu augšanu un mazāku nepieciešamību pēc iejaukšanās.