309 labākie Sukulenti Williamsburg | 2026 ceļvedis - 3. lapa
309 labākie sukulenti audzēšanai Williamsburg. Ideālais klimats: 11.6°C, 44.4% mitrums.
309 Sukulenti Williamsburg
Rāda 73–108 no 309
Ēnija
Aeonium decorum
Bruņurupuču kaktuss
Deamia testudo
Kokveida krasula
Crassula arborescens
Pūkainā kalanhoja
Kalanchoe tomentosa
Eonija
Aeonium
Mendozas laimiņš
Sedum mendozae
Dudleja
Dudleya
Koku sedums
Sedum dendroideum
Ēzeļa aste
Sedum morganianum
Kātainais Aeonijs
Aeonium undulatum
Žurkas astes kaktuss
Disocactus flagelliformis
Rozes kaktuss
Rhodocactus grandifolius
Cūkas Auss
Cotyledon orbiculata
Melnā eševērija
Echeveria affinis
Oktobra Dafne
Sedum sieboldii
Zeltainais Sedums
Sedum adolphi
Krāšņā akmeņlauze
Hylotelephium spectabile
Pflanza zoda kaktuss
Gymnocalycium pflanzii
Kūpera adromišs
Adromischus cooperi
Zelta bumbas kaktuss
Parodia leninghausii
Trauslā krasula
Crassula expansa subsp. fragilis
Sūnu kalanhoje
Kalanchoe eriophylla
Melnais aeonijs
Aeonium 'Zwartkop'
Kanāriju eonija
Aeonium canariense
Graptovērija
× Graptoveria
Brazīlijas koku kaktuss
Brasiliopuntia brasiliensis
Lavandas Ķemmes
Kalanchoe fedtschenkoi
Pilosocereus (ģints)
Pilosocereus
Fluminenses kolonnas kaktuss
Coleocephalocereus fluminensis
Tārpu augs
Crassula marnieriana
Tuna dzeloņbumbieris
Opuntia tuna
Rozā Krupju Kaktuss
Tacinga
Pogu virkne
Crassula perforata
Lenophyllum acutifolium
Lenophyllum acutifolium
Pelēkais fantoma kaktuss
Stenocereus pruinosus
Orhideju kaktuss
Epiphyllum
Ideālie Sukulenti Williamsburg klimatam
Williamsburg vidējā temperatūra ir 11.6°C un mitrums 44.4%, apstākļi, kas tieši ietekmē, kuri sukulenti vislabāk pielāgojas vietējai videi.
Kā audzēt Sukulenti Williamsburg
Lai veiksmīgi audzētu sukulenti Williamsburg, ņemiet vērā, ka vidējā temperatūra 11.6°C un mitrums 44.4% veido specifisku mikroklimatu. Zemāks mitrums prasa biežāku laistīšanu un šķīvjus zem podiņiem.
Pielāgoto Sukulenti izvēles priekšrocības
Williamsburg klimatam pielāgotie Sukulenti uzrāda lielāku izturību, veselīgu augšanu un mazāku nepieciešamību pēc iejaukšanās.